碳化硅是Si和C二元系統(tǒng)中的二元化合物。其原子比是1:1。下面主要講解下碳化硅的特性。
1 穩(wěn)定性較好。
在HCl、H2SO4和HF中煮沸也不受侵蝕。SiC同硅酸在高溫下也不發(fā)生反應(yīng)，故具有抵抗酸性熔渣的良好性能。SiC同石灰在525度開(kāi)始反應(yīng)，在1000度附近反應(yīng)顯著，與氧化銅的反應(yīng)在800度已強(qiáng)烈進(jìn)行。。同氧化鐵在1000-1200度，進(jìn)行反應(yīng)，到1300度已明顯崩裂反應(yīng)。同氧化錳反應(yīng)從1360度起到崩裂反應(yīng)。從600度開(kāi)始與之反應(yīng)，到1200度可使其分解為SiCl4和CCl4。熔融堿在熾熱下可使SiC分解。
2 抗熱震性較好。
由于碳化硅不熔化和分解出蒸氣的溫度很高，并具有很高的導(dǎo)熱性和低的熱膨脹性，從而具有好的抗熱震性。
